因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托，望見(jiàn)諒。

檢測(cè)項(xiàng)目

剝離完整性：檢測(cè)光刻膠從襯底表面剝離后的殘留情況，要求殘留面積占比≤0.1%（光學(xué)顯微鏡下觀(guān)察，放大倍數(shù)500）

光刻膠殘留量：定量分析襯底表面未剝離的光刻膠質(zhì)量，檢測(cè)限≤1ng/cm（熱重分析法，溫度范圍25~500℃，升溫速率10℃/min）

界面剝離力：測(cè)量光刻膠與襯底之間的結(jié)合強(qiáng)度，測(cè)試范圍0~100N/cm（90/180剝離試驗(yàn)機(jī)，加載速率50mm/min）

腐蝕缺陷密度：統(tǒng)計(jì)剝離后襯底表面因光刻膠殘留導(dǎo)致的腐蝕坑數(shù)量，要求缺陷密度≤10個(gè)/cm（掃描電子顯微鏡觀(guān)察，分辨率1nm）

殘留有機(jī)物成分：分析光刻膠殘留中的有機(jī)官能團(tuán)（如酯類(lèi)、烴類(lèi)、苯環(huán)化合物），波數(shù)范圍4000~400cm?（傅里葉變換紅外光譜儀，分辨率4cm?）

剝離速率均勻性：測(cè)量不同區(qū)域光刻膠剝離的速率差異，變異系數(shù)≤5%（實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)，時(shí)間分辨率0.1s）

襯底表面粗糙度變化：檢測(cè)剝離后襯底表面的粗糙度變化，Ra增量≤0.5nm（原子力顯微鏡，掃描范圍10μm10μm）

離子污染物殘留：定量分析剝離后襯底表面的離子污染物（如Na?、K?、Cl?），檢測(cè)限≤0.01μg/cm（離子色譜法，淋洗液流速1.0mL/min）

光刻膠膜厚殘留：測(cè)量未剝離區(qū)域的光刻膠厚度，范圍0~10μm，精度0.1μm（橢圓偏振儀，波長(zhǎng)633nm）

剝離后表面清潔度：評(píng)估襯底表面的顆粒污染情況，顆粒尺寸≥0.1μm的數(shù)量≤10個(gè)/cm（顆粒計(jì)數(shù)器，流量100mL/min）

界面殘留氧化物：檢測(cè)光刻膠與襯底界面的氧化物含量，要求氧化物厚度≤1nm（X射線(xiàn)光電子能譜，探測(cè)深度1~3nm）

剝離液滲透深度：分析剝離液在光刻膠層中的滲透情況，測(cè)試范圍0~50μm（二次離子質(zhì)譜，空間分辨率1μm）

檢測(cè)范圍

半導(dǎo)體晶圓：包括硅晶圓、碳化硅晶圓、氮化鎵晶圓等，用于檢測(cè)光刻膠剝離后的表面狀態(tài)

集成電路芯片：邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、功率芯片等，重點(diǎn)關(guān)注剝離失效對(duì)芯片功能的影響

平板顯示器件：OLED面板、LCD面板的光刻膠層，檢測(cè)剝離完整性以避免顯示缺陷

微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）：傳感器、執(zhí)行器等，防止光刻膠殘留影響機(jī)械結(jié)構(gòu)性能

光電子器件：激光器、探測(cè)器、光纖通信器件，確保剝離后光學(xué)表面的平整度

印刷電路板（PCB）：柔性PCB、剛性PCB的光刻膠層，檢測(cè)殘留量以保證電路連接可靠性

封裝基板：球柵陣列（BGA）、芯片規(guī)模封裝（CSP）基板，避免剝離失效導(dǎo)致封裝不良

太陽(yáng)能電池：晶硅電池、薄膜電池的光刻膠圖案，檢測(cè)剝離完整性以提高光電轉(zhuǎn)換效率

微納加工樣品：納米壓印、電子束光刻樣品，確保光刻膠剝離后的結(jié)構(gòu)精度

半導(dǎo)體光刻工藝耗材：光刻膠、剝離液等，評(píng)估其在工藝中的剝離性能

量子器件：量子點(diǎn)、超導(dǎo)器件的光刻膠結(jié)構(gòu)，檢測(cè)剝離失效對(duì)量子特性的影響

生物芯片：DNA芯片、蛋白質(zhì)芯片的光刻膠圖案，避免殘留影響生物分子固定

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

ASTMF1877-04：半導(dǎo)體晶圓表面光刻膠殘留量測(cè)試方法

ISO14644-1：潔凈室及相關(guān)控制環(huán)境第1部分：空氣潔凈度分級(jí)（用于剝離環(huán)境監(jiān)測(cè)）

GB/T30767-2014：半導(dǎo)體器件光刻膠剝離性能測(cè)試方法

IEC62137-3-1：電子元器件半導(dǎo)體器件第3-1部分：封裝材料光刻膠剝離特性試驗(yàn)

SEMIM30-0308：半導(dǎo)體晶圓表面顆粒檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)（用于剝離后顆粒分析）

JISK6900-1：熱固性樹(shù)脂第1部分：光刻膠剝離殘留量測(cè)試

GB/T24576-2009：半導(dǎo)體器件光刻膠剝離液性能測(cè)試方法

ASTMD3359-17：膠帶測(cè)試法評(píng)估涂層附著力（用于界面剝離力測(cè)試）

ISO21567:2005：表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜用于半導(dǎo)體材料的分析方法（用于殘留成分分析）

SEMIC12-0609：半導(dǎo)體晶圓表面粗糙度測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)（用于剝離后表面狀態(tài)評(píng)估）

檢測(cè)儀器

光學(xué)顯微鏡：用于觀(guān)察光刻膠剝離后的表面殘留情況，放大倍數(shù)500~1000，分辨率0.5μm

熱重分析儀（TGA）：定量分析光刻膠殘留量，溫度范圍25~1000℃，升溫速率0.1~50℃/min，質(zhì)量分辨率1μg

剝離試驗(yàn)機(jī)：測(cè)量光刻膠與襯底之間的界面剝離力，支持90/180剝離方式，加載速率1~500mm/min，力值范圍0~1000N

掃描電子顯微鏡（SEM）：觀(guān)察剝離后襯底表面的腐蝕缺陷和顆粒污染，分辨率1nm，加速電壓0.1~30kV

傅里葉變換紅外光譜儀（FTIR）：分析光刻膠殘留的有機(jī)成分，波數(shù)范圍4000~400cm?，分辨率2cm?，信噪比5000:1

橢圓偏振儀：測(cè)量未剝離區(qū)域的光刻膠厚度，波長(zhǎng)范圍400~1000nm，厚度范圍0~100μm，精度0.1μm

離子色譜儀（IC）：檢測(cè)襯底表面的離子污染物，檢出限0.01μg/cm，淋洗液流速0.5~2.0mL/min

原子力顯微鏡（AFM）：測(cè)試剝離后襯底表面的粗糙度，掃描范圍1μm1μm~100μm100μm，分辨率0.1nm

X射線(xiàn)光電子能譜儀（XPS）：分析界面殘留的氧化物成分，探測(cè)深度1~3nm，元素分辨率0.1at%

二次離子質(zhì)譜儀（SIMS）：測(cè)量剝離液的滲透深度，空間分辨率1μm，深度分辨率10nm

檢測(cè)流程

1、咨詢(xún)：提品資料(說(shuō)明書(shū)、規(guī)格書(shū)等)

2、確認(rèn)檢測(cè)用途及項(xiàng)目要求

3、填寫(xiě)檢測(cè)申請(qǐng)表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門(mén)取樣/檢測(cè))

5、收到樣品，安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測(cè)

6、檢測(cè)出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫(xiě)報(bào)告草件，確認(rèn)信息是否無(wú)誤

7、確認(rèn)完畢后出具報(bào)告正式件

8、寄送報(bào)告原件