因業務調整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

電遷移測試：評估金屬互連線在電流負載下的原子遷移行為。具體檢測參數：遷移速率、臨界電流密度、電阻變化率。

熱載流子注入測試：分析高能載流子對柵氧化物造成的界面損傷。具體檢測參數：界面陷阱密度、閾值電壓漂移、壽命分布模型。

時間相關介電擊穿測試：測定介電薄膜在持續電場作用下的絕緣失效時間。具體檢測參數：擊穿電壓、時間對數統計、失效概率分布。

應力遷移測試：考查機械應力誘導的金屬線幾何形變。具體檢測參數：遷移距離、應力系數、形變速率。

溫度循環測試：模擬溫度劇烈變化對晶圓結構的可靠性影響。具體檢測參數：循環次數、溫度范圍、電氣特性漂移。

濕度敏感性測試：評估水分滲透導致的器件性能退化。具體檢測參數：濕度水平、吸濕速率、失效時間閾值。

機械彎曲測試：測量彎曲應力下的電氣連接完整性。具體檢測參數：彎曲半徑、電阻變化率、裂紋擴展深度。

輻射硬度測試：檢驗電離輻射對半導體材料的損傷閾值。具體檢測參數：總輻射劑量、漏電流增加、失效臨界點。

化學腐蝕測試：分析腐蝕性環境對晶圓表面的侵蝕速率。具體檢測參數：腐蝕速率、耐蝕指數、表面粗糙度變化。

晶格缺陷檢測：識別晶體結構中的微觀缺陷分布。具體檢測參數：缺陷密度、位錯密度、雜質濃度分布。

檢測范圍

硅基晶圓：標準硅材料晶圓的可靠性監控，用于CMOS集成電路制造。

砷化鎵晶圓：高頻應用晶圓的信號穩定性評估，適用于微波器件。

SOI晶圓：絕緣體上硅晶圓的電隔離性能測定，用于低功耗設備。

MEMS器件：微機電系統晶圓的機械應力耐受性監控，涉及傳感器和執行器。

LED晶圓：發光二極管晶圓的光電退化測試，聚焦亮度衰減。

功率半導體晶圓：高功率開關晶圓的散熱和絕緣性能評估，用于轉換器。

CMOS圖像傳感器晶圓：圖像捕捉器件的環境適應性檢測，涉及噪聲控制。

射頻器件晶圓：射頻應用晶圓的信號完整性監控，用于通信系統。

高壓晶圓：高電壓半導體晶圓的絕緣層耐久性測試，適用于電源模塊。

微處理器晶圓：計算核心晶圓的邏輯錯誤率評估，用于CPU設計。

檢測標準

JEDECJESD22-A101：熱循環可靠性測試方法規范。

ISO22498：電子元件加速壽命試驗通用指南。

ASTMF1245：濕度敏感性分級標準。

GB/T2423.10：環境試驗溫度變化測試規程。

MIL-STD-883：微電子器件可靠性試驗方法。

EIA/JESD47：集成電路應力測試基準。

IEC60749：半導體器件機械和氣候試驗標準。

GB/T4937：半導體器件機械環境試驗方法。

ASTMD257：絕緣材料電阻測量規范。

ISO16750：汽車電子設備環境試驗要求。

檢測儀器

電遷移測試系統：施加恒定電流并監測金屬遷移的裝置。在本檢測中的具體功能：執行高電流應力測試，捕獲電阻變化數據。

熱沖擊測試箱：模擬快速溫度變化的設備。在本檢測中的具體功能：實現極端溫度循環，監測晶圓機械失效。

掃描電子顯微鏡：分析微觀表面結構和缺陷的儀器。在本檢測中的具體功能：觀察裂縫和腐蝕形態，測量缺陷尺寸。

參數分析儀：測量電氣特性的裝置。在本檢測中的具體功能：監控漏電流、擊穿電壓和閾值漂移。

加速壽命測試系統：施加多重應力條件的設備。在本檢測中的具體功能：整合溫度、濕度、電壓變量，預測失效時間。

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規格書等)

2、確認檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進行樣品檢測

6、檢測出相關數據，編寫報告草件，確認信息是否無誤

7、確認完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件