因業務調整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

漏電流測試：測量柵極泄漏電流在高溫下的變化；參數：電流范圍1nA至100μA，溫度范圍25°C至300°C。

閾值電壓漂移：監測閾值電壓隨溫度升高的偏移；參數：電壓偏移量±50mV，漂移速率0.1mV/°C。

跨導測量：評估器件增益特性在偏置應力下的變化；參數：跨導值范圍1至100mS，線性度誤差±2%。

柵極電容測試：分析柵極電容隨溫度波動的穩定性；參數：電容值范圍1pF至10nF，頻率響應1kHz至1MHz。

擊穿電壓測試：確定柵極氧化物在高偏壓下的失效點；參數：擊穿電壓閾值50至300V，漏泄電流限值1μA。

熱載流子注入分析：檢測高溫下熱載流子引起的退化；參數：注入電流密度1至100A/cm2，退化時間100至1000小時。

氧化物完整性測試：評估柵極介質層的可靠性；參數：缺陷密度測量分辨率1缺陷/cm2，應力電壓10至100V。

時間相關電介質擊穿：測量長期偏置下的介質失效時間；參數：擊穿時間對數分布，加速因子1.5至2.5。

偏置溫度不穩定性：量化溫度應力對偏置穩定性的影響；參數：電壓滯后±20mV，恢復時間10至100秒。

遷移率退化分析：監測載流子遷移率在高溫下的降低；參數：遷移率變化率0.1至10%，溫度系數-0.5%/°C。

檢測范圍

MOSFET器件：金屬氧化物半導體場效應晶體管，用于功率切換應用。

IGBT模塊：絕緣柵雙極型晶體管，應用于高電壓工業系統。

SiC功率器件：碳化硅基半導體，用于高頻高溫電力電子。

GaN高電子遷移率晶體管：氮化鎵器件，適用于高效能射頻電路。

功率集成電路：集成式半導體模塊，用于汽車控制單元。

汽車電子模塊：車載系統組件，如引擎控制器和電池管理系統。

工業控制系統：工廠自動化設備中的功率調節單元。

航天電子設備：衛星和航空器用高溫耐受組件。

消費電子產品：智能手機和平板電腦的電源管理芯片。

可再生能源逆變器：太陽能和風能系統中的功率轉換部件。

檢測標準

JEDEC JESD22-A108：高溫柵極偏置測試規范，用于評估半導體器件可靠性。

ASTM F1241：柵極氧化物完整性標準，規定漏電流測量方法。

ISO 16750：道路車輛環境測試標準，包含高溫電氣性能要求。

GB/T 17573-1998：半導體分立器件測試方法，覆蓋柵極參數測量。

GB/T 2423.2-2008：電工電子產品環境試驗規程，高溫測試部分。

IEC 60749：半導體器件機械和氣候試驗方法，涉及高溫偏置測試。

檢測儀器

高溫測試系統：提供可控溫度環境；功能：溫度范圍-65°C至300°C，溫度穩定性±0.1°C。

參數分析儀：測量器件電氣特性；功能：電壓電流精度±0.1%，支持直流和交流參數掃描。

電容電壓測試儀：評估柵極電容特性；功能：頻率范圍1kHz至1MHz，電容分辨率0.1pF。

漏電流測量裝置：檢測微小泄漏電流；功能：電流靈敏度1pA，電壓偏置范圍0至100V。

加速壽命測試系統：模擬長期高溫偏置應力；功能：可編程偏置電壓0至500V，時間控制精度1ms。

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規格書等)

2、確認檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進行樣品檢測

6、檢測出相關數據，編寫報告草件，確認信息是否無誤

7、確認完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件